艺炫电子科技——mos管
MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
艺炫电子科技——增强型mos管
增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图。栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，场效应管批发，就是图示效果。因此，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。所以，大家平时说mos管，北京场效应管，就默认是增强型的。
艺炫电子科技——MOS管
MOS管的散热，选用时，不仅仅是看通过的电流满足即可，场效应管价格，要考虑热问题，特别是大电流情况下，散热更需要当心，因为散热是个持续恶化的过程，温度高，电阻大，电阻大，温度更高，所以散热需要特别注意。考虑到散热和安装过程关系密切，是在产品实际长时间工作，极限状态下，用热红外测一下，有一定余量。
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