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发布日期 :2019-05-30 18:47发布IP:123.58.44.103编号:5389448
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二极管
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艺炫电子科技——mos管

因为驱动线路走线会有寄生电感,电子元器件,而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路,如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话,在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡,导致MOS管急剧发热甚至爆,一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻,降低LC振荡电路的Q值,使震荡迅速衰减掉。

因为MOS管栅极高输入阻抗的特性,一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通,所以建议在MOS管G S之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。

如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话,可以在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管,TVS可以认为是一个反应速度很快的稳压管,其瞬间可以承受的功率高达几百至上千瓦,电子元器件在线咨询,可以用来吸收瞬间的干扰脉冲。


艺炫电子科技——mos管

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电穿。静电穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,深圳元器件,即金属化薄膜铝条被熔断,电子元器件批发,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。


艺炫电子科技——MOS管

MOS管重要参数

①封装

②类型(NMOS、PMOS)

③耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的电压)

④饱和电流Id

⑤导通阻抗Rds

⑥栅极阈值电压Vgs(th)

用万用表辨别NNOS、PMOS

借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道,若情况相反是P沟道



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