艺炫电子科技——mos管
因为驱动线路走线会有寄生电感，电子元器件，而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路，如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话，在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡，导致MOS管急剧发热甚至爆，一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻，降低LC振荡电路的Q值，使震荡迅速衰减掉。
因为MOS管栅极高输入阻抗的特性，一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通，所以建议在MOS管G S之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。
如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话，可以在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管，TVS可以认为是一个反应速度很快的稳压管，其瞬间可以承受的功率高达几百至上千瓦，电子元器件在线咨询，可以用来吸收瞬间的干扰脉冲。
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MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电穿。静电穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，深圳元器件，即金属化薄膜铝条被熔断，电子元器件批发，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。
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MOS管重要参数
①封装
②类型（NMOS、PMOS）
③耐压Vds（器件在断开状态下漏极和源极所能承受的电压）
④饱和电流Id
⑤导通阻抗Rds
⑥栅极阈值电压Vgs(th)
用万用表辨别NNOS、PMOS
借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档，红表笔接S，黑表笔接D，有数值显示，反过来接无数值，说明是N沟道，若情况相反是P沟道
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